Si&InGaAs,PIN&APD,Toʻlqin uzunligi:400-1100nm,900-1700nm.(Lazer diapazoni, tezlikni oʻlchash, burchak oʻlchash, fotoelektrik aniqlash va fotoelektrik qarshi oʻlchash tizimlari uchun javob beradi.)
InGaAs materialining spektral diapazoni 900-1700 nm ni tashkil qiladi va ko'payish shovqini germaniy materialidan pastroqdir. Odatda heterostrukturali diodlar uchun ko'payish hududi sifatida ishlatiladi. Material yuqori tezlikdagi optik tolali aloqa uchun javob beradi va tijorat mahsulotlari 10 Gbit / s yoki undan yuqori tezlikka erishdi.